[发明专利]一种光栅复合型单光子雪崩二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种光栅复合型单光子雪崩二极管，包括衬底P‑Sub区；衬底P‑Sub区上设有NBL区；NBL区上设有圆形DN‑Well区；圆形DN‑Well区中间设有N‑Well区，圆形DN‑Well区上表面从外到内依次设有环形N+注入区、第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区，所述第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区引出用作阳极；环形N+注入区引出用作阴极。本发明实现了光栅器件与单光子雪崩二极管的复合，极大地扩展了器件的光谱响应范围。