[发明专利]一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法有效
| 申请号： | 202210714460.5 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN114775057B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐秋峰;张忠伟;沈浩;钱煜;张伟明;曹焕;濮思麒 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/20;C30B15/10;C30B15/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法，包括以下步骤：a）将钽酸锂原料装入铂铱合金坩埚内，抽真空后，充氮气至正压；b）升温加热至1600～1645℃，使原料熔融；c）按下降籽晶，当籽晶下降至坩埚口0位时停止下降，将称重重量清零；d）根据籽晶重量变化调整引晶温度，及籽晶的下降或上升速率，完成引晶后，晶体进入自动生长；e）通过实时调整放肩生长和等径生长的提拉速度控制晶体结晶速率，完成晶体生长后上拉晶体，使其脱离熔融液。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 英寸 钽酸锂 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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