[发明专利]气体分配装置及半导体工艺设备有效
申请号: | 202210715034.3 | 申请日: | 2022-06-23 |
公开(公告)号: | CN115125517B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 赵磊 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 兰天爵 |
地址: | 102600 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种气体分配装置及半导体工艺设备,气体分配装置包括分配盘,分配盘包括相互叠置的板主体和盖板;板主体面向盖板的表面设置有沿分配盘的径向依次交替设置的多个第一弧形通道和多个第二弧形通道,以及与多个第一弧形通道均相连通第一通气通道,与多个第二弧形通道均相连通的第二通气通道;多个第一弧形通道和多个第二弧形通道分别设置有多个出气孔;出气孔与半导体设备的反应腔室相连通;盖板开设有第一注气孔和第二注气孔,第一注气孔与第一通气通道连通,第二注气孔与第二通气通道连通。上述方案能够解决晶圆表面的薄膜均匀性较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 气体 分配 装置 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的