[发明专利]一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210722076.X | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115188524A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 杨长;耿方娟;王亮君;阮丝园;杨佳霖 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/10;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法，属于光电子材料领域。本发明针对现有透明导电薄膜材料在非晶态时的p型导电率低这一难题，基于碘硫化亚铜材料获得具有极高p型电导率的非晶态透明薄膜，其分子式为CuI |
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| 搜索关键词： | 一种 导电 晶态 透明 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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