[发明专利]晶圆定位方法及离子暴露装置在审
| 申请号： | 202210722582.9 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN115249636A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 陈佳政;陈俊良;陈亮吟;张惠政;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种晶圆定位方法及离子暴露装置，晶圆定位方法包括放置晶圆于布植机压板上，晶圆包括多个集成电路晶粒；通过用相机测量集成电路晶粒的外边缘的位置，测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及将布植机压板旋转角位移。 | ||
| 搜索关键词： | 定位 方法 离子 暴露 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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