[发明专利]一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210726936.7 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115101589A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和势垒层，其中，在势垒层的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，在源极和漏极外侧分别形成向下延伸至AlN成核层上表面或内部的台面；在势垒层上表面均覆盖有钝化层；钝化层的上表面包括弯折形的漏极场板，漏极场板的一端延伸至源极上方，另一端延伸至漏极上方，漏极场板与漏极电气连接；在漏极场板的上表面以及钝化层其余区域上表面覆盖有保护层。本发明利用弯折形漏极场板连接漏电极，在较短的漏源间距下优化电场分布，有效提高了器件的长期可靠性及击穿效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 新型 漏极场板 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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