[发明专利]一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210727753.7 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115172461A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 戚佳斌;刘力荣;邱飞龙;李忠贤;赵毅 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技南湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 | 代理人： | 张瑜 |
| 地址： | 314002 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制作方法，铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器、MOSFET晶体管和隔离层；铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上；铁电存储器的底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极左侧部分直接连接。铁电存储器与MOSFET晶体管的栅极之间被隔离层分隔，铁电存储器的底电极选用低维材料，且厚度能调节的范围宽，既能与现有晶体管纳米级别CMOS工艺技术兼容，也能使铁电存储器的尺寸达到亚纳米级别。实现最佳写入和读出性能的同时解决了铁电存储器尺寸微缩难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 级铁电 存储 计算 一体 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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