[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210728561.8 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN116940112A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 黄士庭 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板，其中基板具有主动区、相邻主动区的隔离结构以及在主动区上的接触件。在基板上形成介电堆叠。在介电堆叠上形成多晶硅层。蚀刻多晶硅层与介电堆叠，以形成开口，使得基板的接触件被暴露。形成导电层在开口中。然后，沉积原子层沉积氧化层在开口的侧壁上，以提升产品质量。此外，一种半导体结构亦在此发明。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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