[发明专利]一种生长低翘曲半导体衬底晶片的方法

摘要

本发明公开了一种生长低翘曲半导体衬底晶片的方法，包括如下步骤：S1)沉积介质层：在衬底晶片的背面和正面沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层满足α1×T1＝α2×T2；S2)高温退火；S3)去除第二介质层并磨抛清洗；S4)衬底晶片进行外延生长：将步骤S3)背面沉积有第一介质层的衬底晶片进行外延生长；S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在衬底晶片的正面和背面均沉积一层刚度大于衬底晶片的介质层，两层介质层的协同热膨胀能够对外延片进行形变约束，使得衬底晶片在高温退火时翘曲度降低，经过高温退火后再去除正面的介质层，保留背面的介质层，背面的介质层能够对衬底晶片进行保护，维持其低翘曲度。