[发明专利]一种降低半导体外延片翘曲度的方法

摘要

本发明公开了一种降低半导体外延片翘曲度的方法，包括S1)沉积介质层：在外延片背面和正面分别沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层的刚度大于外延片，第一介质层和第二介质层的热膨胀系数分别是α1、α2，第一介质层和第二介质层的厚度分别是T1、T2，第一介质层和第二介质层满足α1×T1＝α2×T2；S2)高温退火；S3)去除第二介质层并磨抛清洗；S4)掺杂；S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在外延片的正面和背面均沉积一层刚度大于外延片的介质层，经过高温退火时正背面双介质层的协同热膨胀来降低外延片的翘曲度，然后再去除正面的介质层，保留背面的介质层，背面的介质层能够对外延片进行保护，维持其低翘曲，减少外延片进行热扩散或离子注入等掺杂工序时的翘曲或碎片等问题，以提高器件加工精度和降低碎片等风险。