[发明专利]芯片级微粒子真空腔室及其制备方法在审
| 申请号： | 202210736715.8 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115200780A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 吴宇列;吴学忠;肖定邦;蒲俊吉;曾凯 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01L21/22 | 分类号： | G01L21/22;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 黄丽;赵云颉 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片级微粒子真空腔室及其制备方法，真空腔室包括腔室本体、第一封装层和第二封装层，腔室本体包括第一腔室、第二腔室和第三腔室；第一腔室、第二腔室和第三腔室均以第一封装层为底面，以第二封装层为顶面，第一腔室顶端与第二封装层之间还设有第三封装层，第一腔室、第二腔室和第三腔室之间设有相互连通的通道；第一腔室内装有微粒子，微粒子不能通过通道转移，第二腔室内设有无引线真空度检测传感器，无引线真空度检测传感器为具有磁性的悬臂梁，第三腔室内装有吸气剂。制备方法包括制备腔室本体、封装层、悬臂梁，并进行组装。本发明的芯片级微粒子真空腔室体积小、无外部引线，设计加工难度低。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 微粒子 空腔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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