[发明专利]半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质有效
| 申请号： | 202210740098.9 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN114818393B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;梁英宗;陈燕宁;鹿祥宾;张东嵘;付振;刘芳;闫振华;张庆平;夏绪卫 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G01R31/26;G06F119/04 |
| 代理公司： | 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 | 代理人： | 彭杰 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 失效 时刻 预测 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
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