[发明专利]一种高性能烧结钕铁硼磁体的分步晶界扩散工艺

摘要

本发明属于稀土永磁材料领域，具体涉及一种高性能烧结钕铁硼磁体的分步晶界扩散工艺。在酸化的不含重稀土元素的N50烧结钕铁硼磁体表面首先沉积Dy单质薄膜，经第一次高温热处理使Dy元素沿晶界向磁体内部扩散，得到一次晶界扩散样品。所得一次晶界扩散样品再次酸化处理后，将Tb单质薄膜沉积在磁体表面，采用与第一次高温热处理相同的二级热处理工艺，再次晶界扩散便可成功制备高矫顽力烧结钕铁硼磁体。本发明制备的烧结钕铁硼磁体较传统晶界扩散重稀土单质Dy、Tb或其低熔点共晶合金，可显著提高磁体的室温矫顽力，且重稀土元素向磁体内部扩散深度大、微观组织结构均匀，适合较厚尺寸磁体。