[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210745525.2 申请日: 2022-06-29
公开(公告)号: CN114824004B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 罗文博;肖崇武;张铭信;陈铭胜 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 何世磊
地址: 330096 江西省南昌市南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,外延片包括:衬底、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层;多量子阱层包括量子阱层以及复合量子垒层;复合量子垒层包括掺Be的AlzGa1‑zN层,沿N型GaN到P型GaN层的方向,AlzGa1‑zN层中Be的掺杂浓度以及Al组分均逐渐增大,本发明解决了现有技术中有效电子空穴复合大部分发生在多量子阱的最后几个量子阱中,使得有效的辐射复合发光面积较小,影响发光效率,同时Mg掺杂电离能较高,限制了P型GaN中空穴的浓度,进而影响辐射复合效率的技术问题。
搜索关键词: 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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