[发明专利]改善CMOS图像传感器的噪音的结构及其方法在审
| 申请号： | 202210745993.X | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115295566A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 顾嘉华;张武志;曹亚民;杨斌;周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善CMOS图像传感器的噪音的结构，在半导体衬底上形成有光栅结构，光栅结构由填充于沟槽中的光栅介质层组成，按照材料的透光性的不同光栅介质层至少包括第一光栅介质层和第二光栅介质层并分别组成第一光栅结构和第二光栅结构。第一光栅结构覆盖在第一部分区域的各像素单元上方且第一光栅介质层的材料具有第一透光性。第二光栅结构覆盖在第二部分区域的各像素单元上且第二光栅介质层的材料具有第二透光性。CMOS图像传感器采用第一透光性、第二透光性、入射的光信号和收取的电信号来计算得到CMOS图像传感器的噪音并在各像素单元的电信号中消除所述噪音。本发明还公开了一种改善CMOS图像传感器的噪音的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 cmos 图像传感器 噪音 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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