[发明专利]光电二极管及其制备方法、光电探测器和探测设备

摘要

公开一种光电二极管及其制备方法、光电探测器和探测设备，涉及半导体技术领域，用于改善光电二极管的感光性能。该光电二极管包括半导体衬底、第一电极和第二电极。其中，半导体衬底包括：主体部，和间隔设置、且导电类型不同的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与主体部形成PN结；第一电极，覆盖至少部分所述第一掺杂部；第二电极，覆盖至少部分所述第二掺杂部，且至少第一电极为透明电极。本公开提供的光电二极管，至少第一电极为透明电极，无需在光敏区上方进行接触区开孔，改善了因刻蚀工艺而造成光电二极管的电阻大、暗电流大、膜层搭接不良等问题。