[发明专利]单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉在审
| 申请号： | 202210751316.9 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN114990688A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 毛勤虎 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉，属于半导体技术领域。单晶体直径控制装置包括：直径检测模块，用于对所述多晶熔液和晶体的交界处进行图像采样，获得原始图像，对所述原始图像进行二值化处理，得到黑白图像，计算所述黑白图像中白色区域与黑色区域的面积比例，根据所述面积比例得到所述晶体的直径数据值；控制模块，用于将所述直径数据值与预设直径数据值进行比较，并根据比较结果控制所述籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或所述加热器的功率。本发明能够监控晶体生成过程中晶体的直径，保证晶体品质的稳定可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 直径 控制 方法 装置 单晶硅 拉晶炉 | ||
【主权项】：
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