[发明专利]一种测试晶体硅体区复合的方法在审
| 申请号： | 202210751479.7 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115166460A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈春平;包杰;蒋建婷;胡圣杰;季根华;沈承焕;杜哲仁;林建伟 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 文智霞;朱黎光 |
| 地址： | 225500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅太阳电池技术领域，公开了一种测试晶体硅体区复合的方法，是将晶体硅在不同载流子注入浓度下的体区暗态饱和电流密度值来表示晶体硅的体区复合值，其包括：制备晶体硅样品；测试晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的隐开路电压值及表面暗态饱和电流密度值；根据不同载流子注入浓度下的隐开路电压值，获得晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的总暗态饱和电流密度值；根据不同载流子注入浓度下的表面暗态饱和电流密度值和总暗态饱和电流密度值，获得晶体硅样品的体区复合值。该方法通过体区暗态饱和电流密度值来精确表征晶体硅的体区复合大小，能建立起与开路电压的关系，并能定量计算不同载流子注入浓度下晶体硅的体区复合值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 晶体 硅体区 复合 方法 | ||
【主权项】：
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