[发明专利]混合成像探测器及制备方法在审
申请号: | 202210753386.8 | 申请日: | 2022-06-29 |
公开(公告)号: | CN115117105A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 康晓旭;聂冉;钟晓兰 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴会英;臧建明 |
地址: | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种混合成像探测器及制备方法,涉及半导体技术领域。该混合成像探测器包括:沿垂直方向依次叠设的可见光探测器、具有空腔的中间部件和红外探测器;其中,所述中间部件内部设有屏蔽结构,且所述屏蔽结构位于所述空腔的外围;所述红外探测器接收入射光,并吸收所述入射光中的红外光部分,而所述红外探测器过滤出来的部分光经过所述空腔入射到所述屏蔽结构上,进而反射到所述空腔中;所述可见光探测器吸收所述入射光中的可见光部分。本申请在实现单芯片的同时,能够提高对可见光的吸收率,进而提高混合成像质量。 | ||
搜索关键词: | 混合 成像 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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