[发明专利]一种在GaN单晶衬底上生长钙钛矿纳米晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202210758099.6 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114920282A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 俞娇仙;李秋波;张雷;刘光霞;陈成敏;王国栋;王守志 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;C01G21/00;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种在GaN单晶衬底上生长钙钛矿纳米晶及其制备方法，制备方法的步骤为：(1)用丙酮、异丙醇、去离子水依次对GaN单晶衬底清洗，然后在紫外等离子体清洗仪中处理；(2)钙钛矿前驱体溶液的制备；(3)钙钛矿纳米晶的制备：将钙钛矿前驱体溶液旋涂到GaN衬底上，旋涂过程中加入反溶剂氯苯；旋涂结束静置，再放置在加热台上保温，使钙钛矿结晶制得卤素钙钛矿纳米晶。本发明具有操作简单方便，成本低，易于大面积成膜的优点，且获得的钙钛矿纳米晶具有均匀性好，结晶质量高，可见光吸收范围广等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 衬底 生长 钙钛矿 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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