[发明专利]基于化学沉积技术模拟碳化硅单晶表面氧化层生长的方法

摘要

本发明提供了一种基于化学沉积技术模拟碳化硅单晶表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，具体包括以下步骤：步骤S1：建立单晶碳化硅的模型，在所述模型中所述单晶碳化硅表面增设真空层，运用分子动力学的反应力场使碳化硅原子处于初始状态；步骤S2：加热所述单晶碳化硅至反应温度后，使所述单晶碳化硅在反应温度下平衡，在所述真空层内，重复模拟Si原子和O2分子在所述单晶碳化硅表面上充分反应并沉积的过程，得到沉积在所述单晶碳化硅表面的氧化层；步骤S3：优化所述单晶碳化硅及所述氧化层中的原子位置，得到氧化薄膜，获取所述氧化薄膜的结构数据。本发明能够获得氧化薄膜原子层面结构，且实验成本低，周期短效率高。