[发明专利]半导体器件的栅极结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210765453.8 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN116093026A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李欣怡;张文;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件的栅极结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的鳍。在鳍之上形成虚设栅极。虚设栅极沿着鳍的侧壁和顶表面延伸。去除虚设栅极以形成凹部。在凹部中形成替换栅极。形成替换栅极包括沿着凹部的侧壁和底部形成界面层。在界面层之上形成偶极层。偶极层包括金属原子。在偶极层中引入氟原子。将来自偶极层的氟原子和金属原子驱动到界面层中。去除偶极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
