[发明专利]量子点复合材料及其制备方法、量子点发光器件在审
申请号: | 202210767148.2 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN115161008A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 石志清 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/88;C09D11/03;C09D11/50;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王朝云 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种量子点复合材料及其制备方法、量子点发光器件。量子点复合材料包括量子点以及量子点表面连接有Si‑O‑Si键。本申请的量子点复合材料,可以提高空穴和电子的注入平衡,进而有利于得到高寿命高效率的QLED器件。本申请的量子点复合材料的量子点的表面具有巯基硅烷和硫醇的复合配体,可以在量子点表面形成Si‑O‑Si键,能够有效阻止载流子电子的注入;使用本申请的量子点复合材料形成发光层,可以提高器件的空穴和电子的注入平衡,进而提高器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 量子 复合材料 及其 制备 方法 发光 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210767148.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。