[发明专利]一种ZrMoTaW难熔多主元合金薄膜及其高通量制备方法在审
| 申请号： | 202210768004.9 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115074597A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王倩楠;姚佳昊;杨红旺;王寅霄;左晓姣;郑博文 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学;北京理工大学重庆创新中心 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C27/04;C22C27/02;C22C16/00;C23C14/35;C23C14/04;C23C14/16 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 马海芳 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种ZrMoTaW难熔多主元合金薄膜及其高通量制备方法，属于薄膜制备技术领域。该ZrMoTaW难熔多主元合金薄膜，包括的元素及各个元素的原子百分比为：W 5～85％、Mo5％～85％、Ta 5％～85％、Zr 5％～85％。该方法工艺简单、成本低、沉积速率快，可在短时间内通过一次实验不需要进行额外靶材更换操作，就可以制备出组分呈连续渐变式梯度分布的四元高通量薄膜，获得成百上千个材料成分，进而可以对成百上千个多元素材料体系做更全面的检测实验研究，并可以根据应用的需求选出最优成分组合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zrmotaw 难熔多主元 合金 薄膜 及其 通量 制备 方法 | ||
【主权项】：
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