[发明专利]一种大片层可控孔洞化MXene纳米片的制备方法有效

专利信息
申请号: 202210771623.3 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN115092929B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 李琪;马泽林;徐晗雪;张茜 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C01B32/921 分类号: C01B32/921;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M4/58;H01M10/0525
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种大片层可控孔洞化MXene纳米片的制备方法,该方法先将Ti3AlC2粉末用氢氟酸刻蚀掉其中的Al元素,得到多层MXene;然后将多层MXene在六亚甲基四胺催化氧化作用下进行水热反应,得到MXene/TiO2复合材料;最后利用过量氢氟酸处理去除TiO2,得到二维孔洞化MXene纳米片。本发明在六亚甲基四胺催化氧化作用下,MXene片层上Ti在水热反应条件下被快速氧化,且可以通过调节反应时间、反应温度控制Ti氧化程度及制备得到不同粒径大小的MXene/TiO2复合材料,并在此基础上制备得到孔径可控、孔分布均匀的二维孔洞化Mxene纳米片材料,有望进一步改善MXene做锂离子电池等储能装置电极材料性质。
搜索关键词: 一种 大片 可控 孔洞 mxene 纳米 制备 方法
【主权项】:
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