[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法在审
| 申请号： | 202210774648.9 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115148865A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 周佐华;苗振林;季辉 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/36;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;邹琦 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，涉及发光二极管芯片制作技术领域。该发光二极管芯片制作方法包括以下步骤：切片、清洗烘干、硅片检查、除氮化硅、离子注入、形成氮化物半导体层、形成隔离区、扩片、退火、倒角、研磨清洗、芯片检验，所述步骤十中，在对硅片倒角结束后，需要对硅片进行分档检测，所述步骤二中对硅片进行烘干时，需要将温度控制在150～250℃加热1～2分钟，通过对硅片进行清洗烘干，控制温度在150～250℃，可以最大程度上使得硅片脱水，且可以避免硅片损坏，再通过后期研磨清洗，可以有效的去除硅片表面的有机杂质，避免附着在外延层侧壁的烧痕或碎屑容易使得芯片产生漏电的不良现象，提高了LED芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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