[发明专利]一种波导探测器集成芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210777244.5 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115132863A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 肖帆;韩勤;叶焓;王帅;肖峰;褚艺渺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种波导探测器集成芯片，包括：衬底、模斑转换器和波导探测器；衬底包括相邻的模斑转换区域和探测区域，模斑转换器设置于模斑转换区域，波导探测器设置于探测区域；模斑转换器和波导探测器相接触；模斑转换器包括芯层，波导探测器包括吸收层，吸收层的上表面所处高度相对不高于芯层的上表面所处高度，吸收层的下表面所处高度相对不低于芯层的下表面所处高度；模斑转换器的上表面和波导探测器的上表面位于同一水平面内。本公开还提供了一种波导探测器集成芯片制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 探测器 集成 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210777244.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种输送装置及土层置换机械
- 下一篇：一种出行服务下单方法、装置及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
