[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202210788711.4 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115223856A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 黄传伟;李健;吕民娟;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/66;H01L21/329;H01L29/47;B07C5/344;C23C14/06 |
| 代理公司： | 无锡亿联盛知识产权代理有限公司 32625 | 代理人： | 雷迪 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路器件制造领域，具体的说是一种肖特基二极管的制备方法；首先选取晶圆作为衬底；然后在所述晶圆底衬上生长基座层；之后在所述基座层上表面沉淀分隔层；在之后在分隔表面进行刻蚀；最后使用PVD溅镀法生长氮化钛金属层，生长完成再经过封装后，使用检测装置进产品的良品检测；所述检测装置包括：外壳；所述外壳内滑动连接有托盘；所述托盘延伸出外壳的一侧表面固连有把手；所述托盘的上表面固连有检测台；通过本制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属‑半导体结处金属层的质量，从而使最终生产出的肖特基二极管在使用时自身的能耗降低，同时也降低了反向的漏电电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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