[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210789376.X | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115223854A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吕政;宋洵奕;黄志森 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/8234;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底的第一区域和第二区域上形成第一栅介质层和第二栅介质层；形成导电层；形成阻挡层；图形化阻挡层以形成阻挡图形；刻蚀导电层，以同时形成第一栅极和第二栅极；形成光刻图形，具有注入窗口，注入窗口显露第一区域的阱注入区域及第一栅极上的部分阻挡图形；以光刻图形和显露的阻挡图形作为掩膜，通过离子注入在阱注入区域形成阱区。在器件设计时，本发明的多晶硅栅极的厚度可以依据高密度器件部分进行设计，第一栅极和第二栅极同步形成，并同时可以实现功率器件阱区的自对准注入，从而使得功率器件可以集成纳米级别的高密度器件。本发明的制备方法可以有效简化工艺，降低工艺成本，提升制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
