[发明专利]存储器及其制作方法、存储器系统在审
| 申请号： | 202210794672.9 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115224109A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈赫;朱宏斌;刘威 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/24;H01L21/8242;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;徐川 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统，存储器具有第一区域和第二区域，存储器包括：第一半导体层，包括：沿第一方向并列设置的第一部分和第二部分；第一部分位于第一区域，第二部分位于第二区域；存储单元阵列，包括：多个存储单元，每个存储单元包括第一晶体管；其中，第一晶体管位于第一区域中，第一晶体管的沟道沿第二方向延伸；第二半导体层，与第二部分沿第二方向堆叠设置；外围电路，至少位于第二半导体层中，包括：至少两个第二晶体管；至少一个隔离结构，沿第二方向贯穿第二半导体层和第一半导体层，且位于相邻的两个第二晶体管之间；其中，沿第二方向，隔离结构的长度大于第一晶体管的沟道的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制作方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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