[发明专利]一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用在审

专利信息
申请号: 202210798016.6 申请日: 2022-07-06
公开(公告)号: CN115274919A 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 何军;尹蕾;程瑞清;姜健 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/109
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 李景
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请涉及无机半导体技术领域,特别涉及一种二维层状‑非层状范德华异质结构及制备方法、应用。本申请提供的二维层状‑非层状范德华异质结构的制备方法包括以下步骤:采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片;采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片;在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热,形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜;移去云母衬底,则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上;将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上,利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜,即得到二维层状‑非层状范德华异质结构。
搜索关键词: 一种 二维 层状 范德华异质 结构 制备 方法 应用
【主权项】:
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