[发明专利]一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用在审
申请号: | 202210798016.6 | 申请日: | 2022-07-06 |
公开(公告)号: | CN115274919A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 何军;尹蕾;程瑞清;姜健 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/109 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 李景 |
地址: | 430072*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请涉及无机半导体技术领域,特别涉及一种二维层状‑非层状范德华异质结构及制备方法、应用。本申请提供的二维层状‑非层状范德华异质结构的制备方法包括以下步骤:采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片;采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片;在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热,形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜;移去云母衬底,则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上;将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上,利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜,即得到二维层状‑非层状范德华异质结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 层状 范德华异质 结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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