[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210798142.1 | 申请日： | 2022-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115842038A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 制造半导体器件的方法包括在衬底上方交替堆叠第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层图案化为鳍结构，横跨鳍结构形成介电层，以及去除鳍结构的第一半导体层，从而在鳍结构的第二半导体层之间形成间隙。该方法还包括沉积第一金属层以包裹第二半导体层，从而在介电层的相对侧壁之间形成空隙，使第一金属层凹进，在凹进的第一金属层上方形成阻挡层，从而覆盖空隙，以及在阻挡层上方沉积第二金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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