[发明专利]在铌酸锂波导中高效产生二次谐波的结构与制作方法在审
| 申请号： | 202210798865.1 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115268164A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 汪莎;赵升;邓国亮;周寿桓 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/377;G02B6/136 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种在铌酸锂波导结构中高效产生二次谐波的结构及制备方法。选取x‑cut的薄膜铌酸锂基底，通过调整波导宽度与高度，使特定的两个模式有效折射率相等，实现模式相位匹配。然后在制备过程中，对波导结构的非线性分布进行人为调控，使特定区域的非线性与之前相反。在相干倍频过程的非衰减区，二次谐波的理论转换效率由有效非线性磁化率和模式重叠因子决定。本发明提出的波导结构使用了铌酸锂的最大非线性磁化率d |
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| 搜索关键词： | 铌酸锂 波导 高效 产生 二次 谐波 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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