[发明专利]一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池在审
| 申请号： | 202210800653.2 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115064297A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 梁磊;秦莉;曾玉刚;贾鹏;宋悦;王玉冰;雷宇鑫;邱橙;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 陈陶 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明实施例中提供的一种基于β辐射伏特效应砷化镓GaAs基同位素电池，包括GaAs基换能单元、设置于所述GaAs基换能单元上的辐致发光材料层、设置于所述辐致发光材料层上的β辐射同位素源，通过采用含有电子/空穴传输层的GaAs基换能单元结构，增强辐生电子‑空穴对的输运与收集，提出GaAs基辐致伏特/光伏双重效应同位素电池结构，解决半导体材料的辐照损伤问题，实现辐生/光生电子空穴对的高效利用，提高电池器件输出性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 辐射 伏特 效应 gaas 同位素 电池 | ||
【主权项】：
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