[发明专利]一种T型栅及其制备方法、HEMT器件在审
| 申请号： | 202210805665.4 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115083902A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨健;蔡仙清;刘胜厚;孙希国 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种T型栅及其制备方法、HEMT器件，涉及半导体器件技术领域，本申请的T型栅的制备方法，包括提供外延片；在外延片上形成光刻胶体；采用等离子刻蚀工艺刻蚀光刻胶体以形成缩小光刻胶体；在设置有缩小光刻胶体的外延片上形成介质层，介质层环绕缩小光刻胶体；在介质层上形成第一光刻胶层，并刻蚀形成第一腔体，第一腔体在外延片上的投影覆盖缩小光刻胶体的投影；剥离缩小光刻胶体以使介质层围合形成第二腔体；在第一光刻胶层上沉积金属材料以使金属材料填充第一腔体和第二腔体；去除第一光刻胶层以在外延片上形成T型栅。本申请提供的T型栅及其制备方法、HEMT器件，能够缩短T型栅的制备时间，提高器件制备效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制备 方法 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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