[发明专利]一种充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210809262.7 申请日: 2022-07-11
公开(公告)号: CN115180944B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 王根水;彭浩南;刘振 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622;H10N30/853;H01G4/12
代理公司: 上海隆天律师事务所 31282 代理人: 朱俊跃;钟宗
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法,该材料的化学式为:A3B5O15,A位六种元素含量为等摩尔比。本发明首次将高熵设计理念引入到钨青铜结构材料中,设计并成功制备具有钨青铜结构的高熵铁电陶瓷,并获得了6.048J/cm3的储能密度和82.1%的储能效率,本发明采用固相法制备,工艺流程简单,且属于无铅无铋材料。本发明有望在电容器中取得实际应用,并为新型介电陶瓷材料研发提供了新思路。
搜索关键词: 一种 充满 青铜 结构 高熵铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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