[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210812003.X | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115911109A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;卢俊甫;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法，包括：在第一区域中的第一沟道区域上方和第二区域中的第二沟道区域上方形成第一介电层；将第一偶极子元素引入第一区域中的第一介电层中，以在第一区域中形成第一含偶极子栅极介电层；在第一含偶极子栅极介电层上方形成第二介电层；将氟引入第二介电层，以在第一含偶极子栅极介电层上方形成第一含氟栅极介电层；以及在第一含氟栅极介电层上方形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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