[发明专利]电阻式存储器器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210812748.6 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115811932A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 江宏礼;邱荣标;王哲夫;陈自强;张孟凡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了电阻式存储器器件及其形成方法。电阻式存储器器件包括底部电极、位于所述底部电极上方的切换层，切换层包括第一水平部分、位于所述底部电极的上表面上方的第二水平部分以及位于所述第一水平部分和第二水平部分之间的底部电极的侧表面上方的第一垂直部分，位于切换层上方的顶部电极，顶部电极包括第一水平部分、第二水平部分以及第一垂直部分，以及导电通孔，位于顶部电极上方并且接触顶部电极的第一水平部分、第二水平部分和第一垂直部分。通过提供符合底部电极的非平面轮廓的切换层和顶部电极，电荷聚集和电场的局部增加可以促进电阻状态切换并提供降低的操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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