[发明专利]一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器在审

专利信息
申请号: 202210817123.9 申请日: 2022-07-12
公开(公告)号: CN115148757A 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 仇杰;刘国珍;高炬 申请(专利权)人: 苏州科技大学
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;G11B7/0065
代理公司: 北京精翰专利代理有限公司 11921 代理人: 卓邦荣
地址: 215009 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器,包括:基板衬底,所述基板衬底的内部具有2DEG,所述基板衬底设置有第一金属电极和第二金属电极,利用光照在透明的薄膜上产生光电子,并驱动光电子聚集在氧化物上,改变氧化物表面二维电子气的电子浓度;与光敏电阻等不同,这种电子浓度的改变,不是通过材料自身电子能级跃迁得到的,故而不会通过电子‑空穴对的复合而消失掉,实现氧化物表面二维电子气局部电阻的永久性改变,完成数据的存储功效;而数据的读取则需要测量数据单元的电阻来实现,我们已有的实验表明这种加载的外光电子,可以通过施加约10V的负电压驱离出氧化物表明二维电子气,从而实现数据的擦除功效。
搜索关键词: 一种 基于 光电效应 二维 电子 光学 随机 存储器
【主权项】:
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