[发明专利]快速选择最佳光刻胶膜厚的方法在审
申请号: | 202210817437.9 | 申请日: | 2022-07-12 |
公开(公告)号: | CN115268211A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 钱睿;郭晓波;张聪 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种快速选择最佳光刻胶膜厚的方法,提供设于加热装置上的晶圆,晶圆上形成有光刻胶层,利用加热装置设置梯度差的温度,使得晶圆上的光刻胶层的厚度为梯度分布;根据厚度为梯度分布的光刻胶层设计光罩,光罩对应每个厚度的光刻胶层均依次设有多个不同关键尺寸的量测图形以及膜厚量测图形;光刻将光罩的量测图形和膜厚量测图形转移至光刻胶层上,分别得到线宽量测结构和膜厚量测结构,之后根据每个线宽量测结构得到线宽,根据每个膜厚量测结构得到光刻胶层的厚度。本发明制备光刻胶膜厚梯度分布晶圆和特殊设计的光罩,可以只使用一片晶圆来得到不同的光刻胶厚度,节约成本和时间的同时,可以大幅增加取样点。 | ||
搜索关键词: | 快速 选择 最佳 光刻 胶膜 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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