[发明专利]利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202210817546.0 申请日: 2022-07-12
公开(公告)号: CN115161760A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 夏虹;李顺心;孙洪波 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/54;C30B33/06;H01L51/48;H01L51/42
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 刘世纯
地址: 130012 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用,属于有机无机杂化钙钛矿横向异质结技术领域,具体包括钙钛矿前驱体制备、压印模板制备、异质结晶体的制备;利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法,通过两步纳米压印在温度场和重力场的辅助下,避免第二种钙钛矿结晶过程中涉及的溶剂将先沉积的第一种钙钛矿晶体溶解,从而可得到由两种高质量钙钛矿晶体横向拼接而成的横向钙钛矿异质结;制备的横向异质结晶体表面形貌良好,缺陷较少,晶体生长取向良好;并利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法制备了具备自供电、柔性、偏振灵敏性的高性能光电探测器,并且提升了光电响应特性和对环境的稳定性。
搜索关键词: 利用 纳米 压印 法制 双钙钛矿 横向 异质结 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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