[发明专利]一种氮化镓HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210821111.3 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115188821A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 江希;姜涛;袁嵩;张世杰;严兆恒;何艳静;弓小武 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法包括，自下而上依次层叠设置的衬底、成核层、渐变缓冲层和沟道层。源电极和漏电极，均位于沟道层上，沟道层上自下而上依次层叠设置有插入层、势垒层和P‑GaN层，插入层位于源电极和漏电极之间，第一绝缘介质层，位于势垒层和P‑GaN层上，第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层上。源电极和漏电极分别与势垒层形成欧姆接触。源电极和漏电极在淀积金属的前后使用低温超临界流体工艺进行界面处理。本发明采用超临界流体进行界面处理的低温工艺，用于提高氮化镓HEMT的界面层质量，弥补界面层缺陷。同时使用低温退火技术，提高了欧姆接触的稳定性，提高了漏电极的耐压能力，为制备高性能氮化镓HEMT器件提供了有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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