[发明专利]一种Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210825389.8 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115058230B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周子健;刘磊;刘小伟;徐明厚;周玥;彭德骏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C09K5/06 | 分类号： | C09K5/06;C01G51/04 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 张晓博 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于热化学储能领域技术领域，公开了一种Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料及其制备方法，Mg修饰的低反应温度、高储热密度钴基热化学储热材料的分子式为：Co |
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| 搜索关键词： | 一种 mg 修饰 反应 温度 高储热 密度 热化学 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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