[发明专利]具有分离平面栅结构的金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202210828217.6 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115188812A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 许曙明 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新区中国（上海）自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 该发明涉及一种具有分离平面栅结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，其包括形成于衬底上表面的外延区域和至少两个形成于外延区域中的体区域。体区域位于靠近外延区域的上表面，且横向彼此间隔。该器件还包括至少两个设置于对应的体区域中且靠近该体区域上表面的位置的源区，以及包括至少两个平面栅和一个沟槽栅的栅极结构。每个平面栅均位于所述的外延区域的上表面，并与相应的体区域的至少一部分重叠。该沟槽栅位于两个所述体区域之间且至少部分位于所述外延区域之中，还在外延区域上表面之上形成横向过生长的侧壁；以及位于衬底背面且与衬底电连接的漏极触点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 平面 结构 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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