[发明专利]一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法在审
| 申请号： | 202210829211.0 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115198347A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;邵会民;刘峥;史艳磊;姜剑;李晓岚;王阳;怀俊彦;孙作宝;张晓丹;康永;王维;刘惠生;李亚旗;赵红飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B11/06 | 分类号： | C30B11/06;C30B11/00;C30B15/02;C30B15/12;C30B15/14;C30B28/06;C30B28/10 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥;李双金 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离心 合成 生长 化合物 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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