[发明专利]一种具有叠层结构忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有叠层结构忆阻器及其制备方法，属于微电子器件领域。包括：第一电极、阻变层和第二电极；阻变层设置在第一电极和第二电极之间，为第一氧化物层/第二氧化物层/第一氧化物层/…第二氧化物层/第一氧化物层，即A(BA)n型，且n为不小于2的正整数。本发明通过采用同一材料体系的A(BA)n型叠层结构忆阻器，减小了多层阻变层之间的界面势垒效应，明确和增强了氧空位内建势场的方向和场强，有效地促使外加电场的不均匀分布，更好地实现外部施加电场分布局域化，进而更精准地控制导电细丝形成和断裂的区域，有效地解决现有忆阻器一致性差、耐久度低、阻态保持能力差、大初始化电压等问题。