[发明专利]包括包含MXene的互连结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210833246.1 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115995449A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 具元泰;韩在贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一导电层，该第一导电层包含第一金属；第二导电层，该第二导电层电连接到第一导电层并且包含第二金属；以及互连结构，该互连结构对第一导电层与第二导电层的连接部分是共同的。互连结构包括：晶种层，该晶种层在第一导电层上，并且包含石墨烯；以及金属迁移阻挡层，该金属迁移阻挡层在晶种层上，并且包含MXene。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 包含 mxene 互连 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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