[发明专利]电子管芯制造方法在审
| 申请号： | 202210836125.2 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115700905A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | O·奥里;P·拉比耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电子管芯制造方法，包括：a)在半导体衬底的第一表面侧上沉积电绝缘树脂层，电绝缘树脂层的内部和顶部已经预先形成了多个集成电路，半导体衬底在与第一表面相对的第二表面上支撑接触焊盘；以及b)在半导体衬底的第二表面侧上形成第一沟槽，该第一沟槽将集成电路彼此电隔离，第一沟槽在半导体衬底中垂直延伸并伸出到树脂层中或在树脂层的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 管芯 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
