[发明专利]自组装氧化还原聚合物、传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种自组装氧化还原聚合物、传感器及其制备方法。所述自组装氧化还原聚合物，具有以下结构：#imgabs0#其中，R1和R2各自独立的表示连接键，且R1和R2相同或不同；M表示过渡金属；L1、L2、L3、L4、L5和L6各自独立地表示配体，所述配体为杂环，并且通过所述杂环的杂原子与M配位结合；X表示自组装基团；Y表示阴离子，a表示整数；b表示阴离子的个数，为自然数；其中，ba+1；n、m以及r表示自然数，且n、m以及r之和为20以上；e、g以及f表示整数。本发明的自组装氧化还原聚合物能够在未引入交联剂的前提下制备传感器的传感层。