[发明专利]Ga基范德华室温铁磁晶体材料、制备与应用

摘要

本发明公开了Ga基范德华室温铁磁晶体材料、制备与应用，属于纳米磁性材料制备技术领域。材料为Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)和Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2,d＝0.01～0.5)。Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)的生长方法是自助熔剂法，以过量的Ga和Te作为助熔剂来生长晶体。Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2,d＝0.01～0.5)的生长方法是化学气相输运法，以碘单质作为输运剂来生长晶体。本发明提供的Ga基范德华室温铁磁晶体Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)和Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2,d＝0.01～0.5)材料组分均匀，具有范德华结构，容易机械剥离，居里温度分别为330～367K和320～345K，饱和磁矩分别为50～57.2emu/g和80～88.5emu/g。其中，Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)单晶的垂直磁各项异性能高达3.25×105～4.79×105J/m3。